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刻蝕機和光刻機的區別：光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分。刻蝕相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機，要精確到納米。現在的手機芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10納米技術。10納米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米。現在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，最小到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高端光刻機上努力研發。

我相信，不久的將來，我們的科技人員一定能研制出好的的光刻機，不再被卡脖子。核心技術、關鍵技術、國之重器必須立足于自己。科技的攻關要摒棄幻想，靠我們自己。

我們刻蝕機技術已經突破，5納米的刻蝕機我們也能自主生產，現在卡脖子的是光刻機。在芯片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然后反復循環幾十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達不到精度，刻蝕機就失去用武之地了。

刻蝕機是什么

實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發展；廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，然后從真空管路被抽走。